電子器件制造裝置用高純炭素制品

生產(chǎn)以記憶芯片為代表的電子器件，要經(jīng)過(guò)多種處理工藝。圖所示為有關(guān)形成電子器件回路的硅片處理工序。

硅片外延處理工序。在此工序中，以硅片為基板，在其表面生成同樣的硅單晶的同時(shí)，通過(guò)摻加不純物而形成p型層或n型層。外延工藝一般以CVD法(化學(xué)氣相沉淀)為主流。其裝置的概略如圖所示。工藝流程為，用氟酸將硅片清洗，干燥后，貼置于基座上，然后加熱升溫，通入鹽酸除去硅片表面的氧化層，生成外延層。基座要求選擇具有不能伴有金屬污染、耐高溫及耐鹽酸腐蝕、不與硅反應(yīng)、沒(méi)有氣體發(fā)生等特性的材料。作為能滿足這些要求的材

料，一般使用以高純炭素制品為基材，通過(guò)CVD法在基材表面進(jìn)行高純SiC涂層的基座。

氧化、擴(kuò)散工序。對(duì)于硅材料器件而言，這個(gè)工序是形成絕緣膜的最重要的工序。形成絕緣膜的方法有高溫氧化法和CVD法。在單體處理式的等離子體CVD方法中，高純炭素制品既是等離子體的放電電極，也是硅片的支撐板。其裝置概略如圖所示。這里所使用的材料，同樣要求不能使用中伴有金屬污染，而且需具有誘發(fā)等離子發(fā)生的導(dǎo)電性，以及對(duì)反應(yīng)氣體、電極板清洗氣體的抗腐蝕性。為了解決石墨內(nèi)部微量不純物的發(fā)生問(wèn)題，有時(shí)也使用在表面進(jìn)行玻璃炭涂層或熱分解涂層，或者浸漬的炭素制品。現(xiàn)在，單體式裝置正在逐步減少，而代之以枚葉式裝置。

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